Tootja Toote Number:
FQD8P10TM-F085
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQD8P10TM-F085-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
8244 tk Uus Originaal Laos
12846032
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQD8P10TM-F085 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FQD8P10
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FQD8P10TM_F085CT-DG
FQD8P10TM-F085TR
FQD8P10TM_F085-DG
FQD8P10TM-F085CT
FQD8P10TM-F085DKR
FQD8P10TM_F085TR
FQD8P10TM_F085DKR-DG
FQD8P10TM_F085TR-DG
FQD8P10TM_F085CT
FQD8P10TM_F085DKR
FQD8P10TM_F085
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDPF6N60ZUT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
FQPF9N15
MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F
FCA20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN