Tootja Toote Number:
FQD2N80TF
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQD2N80TF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
12837734
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQD2N80TF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
800 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FQD2
Lisainfo
Standardpakett
2,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STD7NM80
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
4929
DiGi OSANUMBER
STD7NM80-DG
ÜHIKPRICE
1.69
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQA34N20L
MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
FDB0190N807L
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
FDMS3500
MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
