Tootja Toote Number:
FQD2N60CTM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQD2N60CTM-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
12934284
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQD2N60CTM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
QFET®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.9A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.7Ohm @ 950mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
235 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FQD2N60
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
FQD2N60CTMTR
FQD2N60CTMDKR
FQD2N60CTMCT
FQD2N60CTM-DG
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SK3234-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFAG20
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
2SK1847-TB-E
NCH 4V DRIVE SERIES
