FQD12N20LTM

Tootja Toote Number:

FQD12N20LTM

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQD12N20LTM-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventuur:

4955 tk Uus Originaal Laos

12846613

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQD12N20LTM Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

QFET®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

9A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

280mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

21 nC @ 5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1080 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-252AA

Pakett / ümbris

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Põhitoote number

FQD12N20

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FQD12N20LTMCT

FQD12N20LTMDKR

FQD12N20LTMTR

FQD12N20LTM-DG

2156-FQD12N20LTM-488

Standardpakett

2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDMA410NZ

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

onsemi

FDB6670AS

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

infineon-technologies

AUIRFB3806

MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB

onsemi

FQA30N40

MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN