Tootja Toote Number:
FQB9P25TM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQB9P25TM-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12838031
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQB9P25TM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9.4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FQB9
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF9640STRLPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
5539
DiGi OSANUMBER
IRF9640STRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.92
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF5210STRLPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
7933
DiGi OSANUMBER
IRF5210STRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.26
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
FQA62N25C
MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK