Tootja Toote Number:
FQB8P10TM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQB8P10TM-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 100 V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12836626
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQB8P10TM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
530mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FQB8P10
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
FQB8P10TMTR
FQB8P10TMDKR
FQB8P10TM-DG
2156-FQB8P10TM-OS
FQB8P10TMCT
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF5210STRLPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
7933
DiGi OSANUMBER
IRF5210STRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.26
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IPB19DP10NMATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
1986
DiGi OSANUMBER
IPB19DP10NMATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.85
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMS039N08B
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
FDFS6N548
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
FDMC8554
MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
