Tootja Toote Number:
FQB7P20TM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQB7P20TM-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 200 V 7.3A (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12850021
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQB7P20TM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
690mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
770 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.13W (Ta), 90W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FQB7P20
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
FQB7P20TMDKR
FQB7P20TMCT
FAIFSCFQB7P20TM
FQB7P20TM-DG
2156-FQB7P20TM-OS
FQB7P20TMTR
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF9630SPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
4025
DiGi OSANUMBER
IRF9630SPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.15
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF5210STRLPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
7933
DiGi OSANUMBER
IRF5210STRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.26
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AOW290
MOSFET N-CH 100V 17.5/140A TO262
AOB12N50L
MOSFET N-CH 500V 12A TO263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
