Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FQB22P10TM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQB22P10TM-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12851783
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQB22P10TM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
QFET®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
125mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.75W (Ta), 125W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FQB22P10
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FQB22P10
Lisainfo
Muud nimed
FQB22P10TMCT
FQB22P10TM-DG
FQB22P10TMDKR
FQB22P10TMTR
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF9Z34NSTRLPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
2148
DiGi OSANUMBER
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.46
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF9540NSTRRPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
5
DiGi OSANUMBER
IRF9540NSTRRPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.45
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
RSJ250P10TL
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
1434
DiGi OSANUMBER
RSJ250P10TL-DG
ÜHIKPRICE
1.21
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF9540NSTRLPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
4795
DiGi OSANUMBER
IRF9540NSTRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.75
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IPW65R045C7300XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
RHK003N06FRAT146
MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
BSP171PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
HUF75639S3S
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK