Tootja Toote Number:
FQB17P10TM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQB17P10TM-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 100 V 16.5A (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12840738
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQB17P10TM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
16.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
190mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.75W (Ta), 100W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FQB1
Lisainfo
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXTA18P10T
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXTA18P10T-DG
ÜHIKPRICE
1.63
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF5210STRLPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
7933
DiGi OSANUMBER
IRF5210STRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.26
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NTMFS4823NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
NVTFS5824NLTAG
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
NVMFS6H864NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
