Tootja Toote Number:
FQB13N10TM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQB13N10TM-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 12.8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12840494
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQB13N10TM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
12.8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
180mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FQB1
Lisainfo
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NTD4909N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
MCH3481-TL-W
MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3
NTD4979NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK
