Tootja Toote Number:
FQB13N06LTM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQB13N06LTM-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12846863
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQB13N06LTM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
13.6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
110mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FQB1
Lisainfo
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STB16NF06LT4
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
1500
DiGi OSANUMBER
STB16NF06LT4-DG
ÜHIKPRICE
0.57
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQN1N60CTA
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
AO3420
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
FDMC3612
MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
