FQAF65N06

Tootja Toote Number:

FQAF65N06

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQAF65N06-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 49A TO3PF

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 60 V 49A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12837230

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQAF65N06 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

QFET®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

49A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

16mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

65 nC @ 10 V

VGS (max)

±25V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2410 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

86W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-3PF

Pakett / ümbris

TO-3P-3 Full Pack

Põhitoote number

FQAF6

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

HUF75545S3

MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK

onsemi

FDS3670

MOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOIC

onsemi

FDZ391P

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

onsemi

FQB15P12TM

MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK