Tootja Toote Number:
FQAF33N10
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQAF33N10-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventuur:
12847374
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQAF33N10 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
25.8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
83W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3PF
Pakett / ümbris
TO-3P-3 Full Pack
Põhitoote number
FQAF3
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
360
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFP140NPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IRFP140NPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.83
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FCMT125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
FDMC7660
MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
FCPF20N60TYDTU
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F-3
