Tootja Toote Number:
FQAF12P20
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQAF12P20-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 200 V 8.6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventuur:
12847022
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQAF12P20 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8.6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
470mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
70W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3PF
Pakett / ümbris
TO-3P-3 Full Pack
Põhitoote number
FQAF1
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
360
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMS2734
MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
FQP9N08L
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
FCP650N80Z
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
