FQA9N90C

Tootja Toote Number:

FQA9N90C

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQA9N90C-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12850100

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQA9N90C Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

QFET®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

900 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

9A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

1.4Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

58 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2730 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

280W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-3P

Pakett / ümbris

TO-3P-3, SC-65-3

Põhitoote number

FQA9

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

450

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

STW11NK90Z

TOOTJA

STMicroelectronics

KOGUS SAADAVAL

550

DiGi OSANUMBER

STW11NK90Z-DG

ÜHIKPRICE

3.17

ASENDAMISE TüÜP

Similar

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FQD7P20TF

MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOB12N60FDL

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

onsemi

FDG315N

MOSFET N-CH 30V 2A SC88

onsemi

FDV303N

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23