FQA19N20C

Tootja Toote Number:

FQA19N20C

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQA19N20C-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 21.8A TO3P

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 200 V 21.8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12848911

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQA19N20C Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

QFET®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

21.8A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

170mOhm @ 10.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

53 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1080 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

180W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-3P

Pakett / ümbris

TO-3P-3, SC-65-3

Põhitoote number

FQA1

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FQP17N08L

MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3

onsemi

FQP90N08

MOSFET N-CH 80V 71A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON7246

MOSFET N-CH 60V 10A/34.5A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOWF4S60

MOSFET N-CH 600V 4A TO262F