Tootja Toote Number:
FQA160N08
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQA160N08-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventuur:
12848034
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQA160N08 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
80 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
160A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
290 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
7900 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
375W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3PN
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Põhitoote number
FQA160
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FQA160N08-DG
2156-FQA160N08-488
FQA160N08OS
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFP2907PBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
2867
DiGi OSANUMBER
IRFP2907PBF-DG
ÜHIKPRICE
2.55
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXTQ180N10T
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXTQ180N10T-DG
ÜHIKPRICE
2.90
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AO4447AL
MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
FCH104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
FDS8672S
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
