Tootja Toote Number:
FJN3303RBU
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FJN3303RBU-DG
Kirjeldus:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Inventuur:
12837522
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FJN3303RBU Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik, eelsoojendatud bipolaarsed transistorrid
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
NPN - Pre-Biased
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100 mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50 V
Takisti - alus (R1)
22 kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
22 kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
56 @ 5mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100nA (ICBO)
Sagedus - üleminek
250 MHz
Võimsus - Max
300 mW
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tarnija seadme pakett
TO-92-3
Põhitoote number
FJN330
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DTC114YET1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
DTC114YM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
DTC144TT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59