Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FDZ298N
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDZ298N-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12849562
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDZ298N Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
2.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
27mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±12V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
680 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.7W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
9-BGA (1.5x1.6)
Pakett / ümbris
9-WFBGA
Põhitoote number
FDZ29
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
FDZ298N
HTML andmeleht
FDZ298N-DG
Lisainfo
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AO4411
MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
AOI9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
AOD407
MOSFET P-CH 60V 12A TO252
HUFA75309D3S
MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA