Tootja Toote Number:
FDU6N50TU
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDU6N50TU-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventuur:
12846967
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDU6N50TU Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
UniFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
940 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
89W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
I-PAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
FDU6
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
70
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQI13N06TU
MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK
BUK9M6R6-30EX
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
IRL540A
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
