FDT86106LZ

Tootja Toote Number:

FDT86106LZ

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDT86106LZ-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Inventuur:

22653 tk Uus Originaal Laos

12848548

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDT86106LZ Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

3.2A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

108mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

7 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

315 pF @ 50 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.2W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-223-4

Pakett / ümbris

TO-261-4, TO-261AA

Põhitoote number

FDT86106

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDT86106LZ-DG

FDT86106LZTR

FDT86106LZCT

2156-FDT86106LZ-OS

FDT86106LZDKR

ONSONSFDT86106LZ

Standardpakett

4,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

alpha-and-omega-semiconductor

AON6264E

MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN

onsemi

FCU900N60Z

MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK

onsemi

FQPF6N90

MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F

onsemi

FDD8451

MOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK