FDT86102LZ

Tootja Toote Number:

FDT86102LZ

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDT86102LZ-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Inventuur:

7191 tk Uus Originaal Laos

12848072

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDT86102LZ Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

6.6A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

28mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1490 pF @ 50 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.2W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-223-4

Pakett / ümbris

TO-261-4, TO-261AA

Põhitoote number

FDT86102

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDT86102LZ-DG

FDT86102LZFSTR

FDT86102LZFSCT

FDT86102LZFSDKR

Standardpakett

4,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

NTD4863NAT4G

MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK

onsemi

FDFS6N303

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

onsemi

FQB5N50CTM

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

onsemi

FDS8870

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC