FDT439N

Tootja Toote Number:

FDT439N

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDT439N-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 6.3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Inventuur:

18318 tk Uus Originaal Laos

12851897

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDT439N Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

6.3A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

2.5V, 4.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

45mOhm @ 6.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

15 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±8V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

500 pF @ 15 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

3W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-223-4

Pakett / ümbris

TO-261-4, TO-261AA

Põhitoote number

FDT439

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDT439NDKR

FDT439NCT

FDT439N-DG

FDT439NTR

Standardpakett

4,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay-siliconix

IRFP15N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 15A TO247-3

infineon-technologies

BSC884N03MS G

MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON

vishay-siliconix

IRF730ALPBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK

vishay-siliconix

IRF737LCSTRR

MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK