Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FDS8812NZ
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS8812NZ-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12849483
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS8812NZ Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
20A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
6925 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
FDS88
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
FDS8812NZ
HTML andmeleht
FDS8812NZ-DG
Lisainfo
Muud nimed
FDS8812NZTR
FDS8812NZDKR
FDS8812NZCT
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
TSM042N03CS RLG
TOOTJA
Taiwan Semiconductor Corporation
KOGUS SAADAVAL
14182
DiGi OSANUMBER
TSM042N03CS RLG-DG
ÜHIKPRICE
0.68
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SI4430BDY-T1-GE3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
SI4430BDY-T1-GE3-DG
ÜHIKPRICE
0.69
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
BSO033N03MSGXUMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
21786
DiGi OSANUMBER
BSO033N03MSGXUMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.52
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SI4842BDY-T1-GE3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
1589
DiGi OSANUMBER
SI4842BDY-T1-GE3-DG
ÜHIKPRICE
0.94
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
BSO040N03MSGXUMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
2438
DiGi OSANUMBER
BSO040N03MSGXUMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.50
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AOTF2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/22A TO220-3F
FCP600N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
AON6442
MOSFET N-CH 40V 22A/32A 8DFN
FCA47N60-F109
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN