Tootja Toote Number:
FDS8333C
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS8333C-DG
Kirjeldus:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
12847296
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS8333C Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
N and P-Channel
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
30V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4.1A, 3.4A
Rds sees (max) @ id, vgs
80mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6.6nC @ 4.5V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
282pF @ 10V
Võimsus - Max
900mW
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Põhitoote number
FDS83
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDC6420C
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
FDPC5030SG
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
EFC2J022NUZTCG
MOSFET N-CH 12V 2.2MOHM WLCSP10
