Tootja Toote Number:
FDS6911
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS6911-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
12848168
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS6911 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual)
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
20V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7.5A
Rds sees (max) @ id, vgs
13mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
24nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1130pF @ 15V
Võimsus - Max
900mW
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Põhitoote number
FDS69
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FDS6911DKR
FDS6911CT
FDS6911TR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
HUFA76407DK8T-F085
MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
NTJD4401NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
FDMD84100
MOSFET 2N-CH 100V 7A POWER 3.3X5
