Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FDS6900AS
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS6900AS-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12849097
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS6900AS Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
PowerTrench®, SyncFET™
Toote olek
Obsolete
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual)
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
30V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6.9A, 8.2A
Rds sees (max) @ id, vgs
27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
15nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
600pF @ 15V
Võimsus - Max
900mW
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Põhitoote number
FDS69
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FDS6900AS
Tehnilised lehed
FDS6900AS
HTML andmeleht
FDS6900AS-DG
Lisainfo
Muud nimed
FDS6900ASTR
FDS6900ASCT
FDS6900ASDKR
2166-FDS6900AS-488
FDS6900AS-DG
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
FDS6986AS
TOOTJA
Fairchild Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
5000
DiGi OSANUMBER
FDS6986AS-DG
ÜHIKPRICE
0.38
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMS9620S
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/10A 8MLP
AON6920_001
MOSFET 2N-CH 30V 15A/26.5A 8DFN
FDG6321C
MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
AON2802
MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN