Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FDS6614A
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS6614A-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 9.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12850854
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS6614A Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9.3A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
18mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
17 nC @ 5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1160 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
FDS66
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
FDS6614A
HTML andmeleht
FDS6614A-DG
Lisainfo
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
FDS8878
TOOTJA
Fairchild Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
570614
DiGi OSANUMBER
FDS8878-DG
ÜHIKPRICE
0.20
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
DMG4496SSSQ-13
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
DMG4496SSSQ-13-DG
ÜHIKPRICE
0.14
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STS10N3LH5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
4575
DiGi OSANUMBER
STS10N3LH5-DG
ÜHIKPRICE
0.40
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SI4800BDY-T1-GE3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
2572
DiGi OSANUMBER
SI4800BDY-T1-GE3-DG
ÜHIKPRICE
0.27
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
HUFA75337S3S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDB3632-F085
MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
BSP299 E6327
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
FDMC86012
MOSFET N-CH 30V 23A POWER33