Tootja Toote Number:
FDS6162N3
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS6162N3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventuur:
12850681
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS6162N3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
21A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
2.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±12V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
5521 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SO FLMP
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Põhitoote number
FDS61
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
FDS6162N3CT-NDR
FDS6162N3_NLCT
FDS6162N3_NLCT-DG
FDS6162N3_NLTR
FDS6162N3CT
FDS6162N3TR-NDR
FDS6162N3TR
FDS6162N3_NLTR-DG
FDS6162N3DKR
FDS6162N3_NL
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
