Tootja Toote Number:
FDS4935BZ
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS4935BZ-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
10800 tk Uus Originaal Laos
12837596
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS4935BZ Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 P-Channel (Dual)
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
30V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6.9A
Rds sees (max) @ id, vgs
22mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
40nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1360pF @ 15V
Võimsus - Max
900mW
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Põhitoote number
FDS49
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
FDS4935BZDKR
2832-FDS4935BZTR
2156-FDS4935BZ-OS
FDS4935BZCT
FAIFSCFDS4935BZ
FDS4935BZTR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDW2507NZ
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
FDS89161
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
FDC6301N_G
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
