FDS2672

Tootja Toote Number:

FDS2672

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDS2672-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 200 V 3.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventuur:

4791 tk Uus Originaal Laos

12839470

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDS2672 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

UltraFET™

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

3.9A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

6V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

70mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

46 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2535 pF @ 100 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.5W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

8-SOIC

Pakett / ümbris

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Põhitoote number

FDS26

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Lisainfo

Muud nimed

FDS2672TR

FDS2672CT

FDS2672DKR

Standardpakett

2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FQPF33N10

MOSFET N-CH 100V 18A TO220F

onsemi

FQPF5P10

MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F

FDC637BNZ

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

onsemi

FQB34P10TM-F085P

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK