FDS2170N7
Tootja Toote Number:

FDS2170N7

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDS2170N7-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

Inventuur:

12848986
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

FDS2170N7 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SO FLMP
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Põhitoote number
FDS21

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed
HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed
FDS2170N7CT-NDR
FDS2170N7_NLCT-DG
FDS2170N7_NLTR
FDS2170N7_NLTR-DG
FDS2170N7TR-NDR
FDS2170N7_NL
FDS2170N7_NLCT
FDS2170N7DKR
FDS2170N7CT
FDS2170N7TR
Standardpakett
2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
FDMS2672
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
1825
DiGi OSANUMBER
FDMS2672-DG
ÜHIKPRICE
1.14
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
onsemi

FDMA905P

MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET

onsemi

FQB33N10LTM

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AO6415

MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP

onsemi

FDU7N60NZTU

MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK