Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FDS2170N3
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS2170N3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12850569
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS2170N3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SO FLMP
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Põhitoote number
FDS21
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
FDS2170N3
HTML andmeleht
FDS2170N3-DG
Lisainfo
Muud nimed
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
FDMS2672
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
1825
DiGi OSANUMBER
FDMS2672-DG
ÜHIKPRICE
1.14
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AUIRF3805S-7P
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
AON6324
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
FQP6N15
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
AOTF12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F