FDS2170N3
Tootja Toote Number:

FDS2170N3

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDS2170N3-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

Inventuur:

12850569
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

FDS2170N3 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SO FLMP
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Põhitoote number
FDS21

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed
HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG
Standardpakett
2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
FDMS2672
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
1825
DiGi OSANUMBER
FDMS2672-DG
ÜHIKPRICE
1.14
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
infineon-technologies

AUIRF3805S-7P

MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON6324

MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN

onsemi

FQP6N15

MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF12N65

MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F