FDR838P

Tootja Toote Number:

FDR838P

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDR838P-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 20 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12838912

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDR838P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

20 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

8A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

2.5V, 4.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

17mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

45 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±8V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

3300 pF @ 10 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

1.8W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SuperSOT™-8

Pakett / ümbris

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

Põhitoote number

FDR83

Lisainfo

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

FDS6375

TOOTJA

onsemi

KOGUS SAADAVAL

2121

DiGi OSANUMBER

FDS6375-DG

ÜHIKPRICE

0.32

ASENDAMISE TüÜP

Similar

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDMS86310

MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN

onsemi

FDB3652-F085

MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB

onsemi

FDS3590

MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC

onsemi

FDS6681Z

MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC