FDPF4D5N10C
Tootja Toote Number:

FDPF4D5N10C

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDPF4D5N10C-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventuur:

898 tk Uus Originaal Laos
12839253
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

FDPF4D5N10C Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
128A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 310µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
5065 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220F-3
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
FDPF4

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed
2156-FDPF4D5N10C-488
Standardpakett
1,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
onsemi

HUF75329G3

MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3

onsemi

FDS7066ASN3

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

onsemi

FQB55N06TM

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

onsemi

FQD13N10LTM_NBEL001

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK