FDPF4D5N10C

Tootja Toote Number:

FDPF4D5N10C

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDPF4D5N10C-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 128A TO220F

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventuur:

898 tk Uus Originaal Laos

12839253

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDPF4D5N10C Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tube

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

128A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

4.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 310µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

68 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

5065 pF @ 50 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.4W (Ta), 37.5W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220F-3

Pakett / ümbris

TO-220-3 Full Pack

Põhitoote number

FDPF4

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

2156-FDPF4D5N10C-488

Standardpakett

1,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

Not Applicable

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

HUF75329G3

MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3

onsemi

FDS7066ASN3

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

onsemi

FQB55N06TM

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

onsemi

FQD13N10LTM_NBEL001

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK