FDP61N20

Tootja Toote Number:

FDP61N20

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDP61N20-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 200 V 61A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

103 tk Uus Originaal Laos

12847013

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDP61N20 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tube

Seeria

UniFET™

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

61A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

41mOhm @ 30.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

75 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

3380 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

417W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220-3

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

FDP61

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

FDP61N20 Datasheet

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

2156-FDP61N20-OS

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

Not Applicable

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FQPF6N40C

MOSFET N-CH 400V 6A TO220F

onsemi

FDMA910PZ

MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET

onsemi

CPH3462-TL-W

MOSFET N-CH 100V 1A 3CPH

FDC3612

MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6