Tootja Toote Number:
FDP33N25
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDP33N25-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
12921860
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDP33N25 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
UniFET™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2135 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
235W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FDP33
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2156-FDP33N25-OS
ONSFSCFDP33N25
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NVMFS5C423NLWFT3G
MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
MCAC10H03-TP
MOSFET N-CH 30V 100A DFN5060-8
MCQ08N06-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
