FDP2570

Tootja Toote Number:

FDP2570

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDP2570-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 150 V 22A (Ta) 93W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12849588

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDP2570 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

150 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

22A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

6V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

80mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

56 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1911 pF @ 75 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

93W (Tc)

Töötemperatuur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220-3

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

FDP25

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

400

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

IRFB4019PBF

TOOTJA

Infineon Technologies

KOGUS SAADAVAL

743

DiGi OSANUMBER

IRFB4019PBF-DG

ÜHIKPRICE

0.76

ASENDAMISE TüÜP

Similar

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDBL0150N60

MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

onsemi

FDS5690-NBBM009A

MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4N60

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

onsemi

FDPF39N20

MOSFET N-CH 200V 39A TO220F