Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FDP12N60NZ
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDP12N60NZ-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12848741
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDP12N60NZ Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
UniFET-II™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1676 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
240W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FDP12
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FDPF12N60NZ Datasheet
Lisainfo
Muud nimed
FDP12N60NZ-DG
2156-FDP12N60NZ-OS
FDP12N60NZOS
2832-FDP12N60NZ
FAIFSCFDP12N60NZ
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
FDPF12N60NZ
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
174
DiGi OSANUMBER
FDPF12N60NZ-DG
ÜHIKPRICE
0.90
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
STP9N60M2
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
20
DiGi OSANUMBER
STP9N60M2-DG
ÜHIKPRICE
0.54
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
AOT10N60
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
769
DiGi OSANUMBER
AOT10N60-DG
ÜHIKPRICE
0.60
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDD6606
MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
AO3403L
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
FDMS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
MTD6N15T4
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK