Tootja Toote Number:
FDP10N60NZ
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDP10N60NZ-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
12838468
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDP10N60NZ Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
UniFET-II™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1475 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
185W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FDP10
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2156-FDP10N60NZ-OS
ONSONSFDP10N60NZ
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXTP4N65X2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
232
DiGi OSANUMBER
IXTP4N65X2-DG
ÜHIKPRICE
1.12
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP9N60M2
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
20
DiGi OSANUMBER
STP9N60M2-DG
ÜHIKPRICE
0.54
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
AOT10N60
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
769
DiGi OSANUMBER
AOT10N60-DG
ÜHIKPRICE
0.60
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQP5N50C
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
FCPF190N60-F152
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
