FDN359AN

Tootja Toote Number:

FDN359AN

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDN359AN-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventuur:

34550 tk Uus Originaal Laos

12848120

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDN359AN Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

2.7A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

46mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

7 nC @ 5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

480 pF @ 10 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

500mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-23-3

Pakett / ümbris

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Põhitoote number

FDN359

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDN359ANDKR

ONSONSFDN359AN

FDN359AN_F095

FDN359ANCT

FDN359ANTR

2156-FDN359AN-OS

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN

onsemi

FDD6630A

MOSFET N-CH 30V 21A TO252

onsemi

NTB45N06LT4

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

onsemi

NTMFS5C682NLT1G

MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN