Tootja Toote Number:
FDN339AN
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDN339AN-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventuur:
46799 tk Uus Originaal Laos
12838287
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDN339AN Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
2.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
700 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
500mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-23-3
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
FDN339
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
2156-FDN339AN-OS
FDN339ANTR
ONSONSFDN339AN
FDN339ANCT
FDN339ANDKR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDZ3N513ZT
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
