FDMS86263P

Tootja Toote Number:

FDMS86263P

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDMS86263P-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 150 V 4.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12848689

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDMS86263P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

150 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

4.4A (Ta), 22A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

6V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

53mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

63 nC @ 10 V

VGS (max)

±25V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

3905 pF @ 75 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

8-PQFN (5x6)

Pakett / ümbris

8-PowerTDFN

Põhitoote number

FDMS86263

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDMS86263PCT

2832-FDMS86263PTR

FDMS86263PTR

FDMS86263PDKR

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDD306P

MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

onsemi

FDB8453LZ

MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263

alpha-and-omega-semiconductor

AO3419L

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3

onsemi

FDI3652

MOSFET N-CH 100V 9A/61A I2PAK