FDMS86183

Tootja Toote Number:

FDMS86183

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDMS86183-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 51A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventuur:

3234 tk Uus Originaal Laos

12838313

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDMS86183 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

51A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

6V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

12.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

14 nC @ 6 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1515 pF @ 50 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

63W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

8-PQFN (5x6)

Pakett / ümbris

8-PowerTDFN

Põhitoote number

FDMS86

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDMS86183DKR

FDMS86183TR

FDMS86183CT

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDMS86369-F085

MOSFET N-CH 80V 65A POWER56

EFC6604R-A-TR

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

onsemi

HUFA76639S3ST

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

onsemi

FQB50N06TM

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK