FDMS7682
Tootja Toote Number:

FDMS7682

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDMS7682-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventuur:

5880 tk Uus Originaal Laos
12839971
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

FDMS7682 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 22A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1885 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 33W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-PQFN (5x6)
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN
Põhitoote number
FDMS76

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed
FDMS7682CT
FDMS7682TR
FDMS7682DKR
2156-FDMS7682-488
Standardpakett
3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
onsemi

FDT86256

MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223

onsemi

NTD32N06

MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

onsemi

FQP7N10

MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3

infineon-technologies

IGO60R070D1AUMA1

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO