Tootja Toote Number:
FDMS7570S
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDMS7570S-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 25V 28A/49A 8PQFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 25 V 28A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventuur:
12837501
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDMS7570S Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
PowerTrench®, SyncFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
25 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
28A (Ta), 49A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.95mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4515 pF @ 13 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-PQFN (5x6)
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN
Põhitoote number
FDMS7570
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FDMS7570STR
FDMS7570SDKR
FDMS7570SCT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
BSC026NE2LS5ATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
BSC026NE2LS5ATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.49
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
HUF75344P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQP44N10
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
FDP045N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
