Tootja Toote Number:
FDMS3669S
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDMS3669S-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
Inventuur:
190 tk Uus Originaal Laos
12851000
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDMS3669S Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
30V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
13A, 18A
Rds sees (max) @ id, vgs
10mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
24nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1605pF @ 15V
Võimsus - Max
1W
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN
Tarnija seadme pakett
Power56
Põhitoote number
FDMS3669
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FDMS3669SCT
FDMS3669SDKR
2156-FDMS3669S-OS
2832-FDMS3669STR
FDMS3669STR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
EFC2J017NUZTDG
MOSFET 2N-CH 6WLCSP
AO4818BL
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
AONX38168
MOSFET 2N-CH 25V 25A/62A 8DFN
