FDMD8560L

Tootja Toote Number:

FDMD8560L

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDMD8560L-DG

Kirjeldus:

MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6

Üksikasjalik kirjeldus:

Mosfet Array 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6

Inventuur:

2932 tk Uus Originaal Laos

12850019

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDMD8560L Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid

Tootja

onsemi

Pakendamine

Cut Tape (CT)

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Obsolete

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguratsiooni

2 N-Channel (Half Bridge)

Funktsioon FET

-

Äravool allika pingesse (Vdss)

60V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

22A, 93A

Rds sees (max) @ id, vgs

3.2mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

128nC @ 10V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

11130pF @ 30V

Võimsus - Max

2.2W

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Pakett / ümbris

8-PowerWDFN

Tarnija seadme pakett

8-Power 5x6

Põhitoote number

FDMD8560

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDMD8560LTR

2156-FDMD8560L-488

2832-FDMD8560L

FDMD8560LDKR

FDMD8560LCT

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

alpha-and-omega-semiconductor

AO4892

MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC

onsemi

FD6M045N06

MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15

onsemi

FDS6990AS

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

onsemi

FDMS8090

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56