Tootja Toote Number:
FDMC6675BZ
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDMC6675BZ-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 30 V 9.5A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventuur:
6050 tk Uus Originaal Laos
12851492
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDMC6675BZ Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9.5A (Ta), 20A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2865 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.3W (Ta), 36W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-MLP (3.3x3.3)
Pakett / ümbris
8-PowerWDFN
Põhitoote number
FDMC6675
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FDMC6675BZDKR
FDMC6675BZCT
2832-FDMC6675BZTR
FDMC6675BZTR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SI7121ADN-T1-GE3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
9953
DiGi OSANUMBER
SI7121ADN-T1-GE3-DG
ÜHIKPRICE
0.18
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
BSZ120P03NS3GATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
19982
DiGi OSANUMBER
BSZ120P03NS3GATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.26
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDP8441
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
HUF75345S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
