FDMB3900AN

Tootja Toote Number:

FDMB3900AN

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDMB3900AN-DG

Kirjeldus:

MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO

Üksikasjalik kirjeldus:

Mosfet Array 25V 7A 800mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12848384

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDMB3900AN Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Obsolete

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguratsiooni

2 N-Channel (Dual)

Funktsioon FET

Logic Level Gate

Äravool allika pingesse (Vdss)

25V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

7A

Rds sees (max) @ id, vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

17nC @ 10V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

890pF @ 13V

Võimsus - Max

800mW

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Pakett / ümbris

8-PowerWDFN

Tarnija seadme pakett

8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Põhitoote number

FDMB3900

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDMB3900AN-DG

FDMB3900ANDKR

FDMB3900ANTR

FDMB3900ANCT

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDMS3602AS

MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56

infineon-technologies

BSC0923NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

alpha-and-omega-semiconductor

AO4614B_101

MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AO8830

MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP